一种低导通电阻的功率MOS晶体管器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201110305952.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103021858B | 公开（公告）日 | 2015-05-27 |
| 申请公布号 | CN103021858B | 申请公布日 | 2015-05-27 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 苏毅;伍时谦;安荷·叭剌;鲁军 | 申请（专利权）人 | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 竺路玲 |
| 地址 | 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明一般涉及一种功率半导体器件及其制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种减薄硅衬底来降低功率MOS晶体管导通电阻的方法及该方法所制备的功率MOS晶体管器件。由于在硅衬底形成有一个或多个底部凹槽，有效的减少了功率MOSFET晶体管的硅衬底导通电阻，并且与底部凹槽相匹配的基座进一步提供了对具有底部凹槽的功率MOSFET晶体管的封装能力。 |
