一种沟槽功率器件与源极电容集成及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011262093.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112382613A | 公开（公告）日 | 2021-02-19 |
| 申请公布号 | CN112382613A | 申请公布日 | 2021-02-19 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵毅;石亮 | 申请（专利权）人 | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘宁 |
| 地址 | 400700重庆市北碚区悦复大道288号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽功率器件与源极电容集成及其制造方法，涉及功率器件半导体制造领域，包括如下步骤：A、元胞结构的制备；B、沟槽功率器件的制备；所述沟槽功率器件包括接触孔、钨栓；C、ESD、集成电路接入沟槽功率器件；D、淀积钝化层，蚀刻焊盘区域，打线封装。本发明在沟槽功率器件制造的同时集成源极电容的制造。由于没有增加掩模版，成本可控。集成电容的沟槽功率器件可以减少外接电容的使用，从而减小印刷电路板的使用面积，达到降低成本和设备小型化的目的。 |
