半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201180030470.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102947921B | 公开（公告）日 | 2014-10-01 |
| 申请公布号 | CN102947921B | 申请公布日 | 2014-10-01 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/80(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 中岛昭;桑卡拉纳拉亚南·埃克纳特马达蒂尔;住田行常;河合弘治 | 申请（专利权）人 | 远山新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘激扬 |
| 地址 | 英国谢菲尔德市 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 通过利用极化结，从而根本性地缓和传导通道的局部中产生的峰电场，实现高耐压化，同时消除电流崩塌的产生以达到实际应用的水平，容易实现低损耗GaN类半导体器件。半导体器件具有依次层叠于C面蓝宝石基板等基底基板上的Inz Ga1-z N层11(0≤z＜1)、Alx Ga1-x N层12(0＜x＜1)、Iny Ga1-y N层13(0≤y＜1)以及p型Inw Ga1-w N层14(0≤w＜1)。在非运作时，在Alx Ga1-x N层12与Iny Ga1-y N层13之间的异质界面近旁部分的Iny Ga1-y N层13处形成二维空穴气15、且在Inz Ga1-z N层11与Alx Ga1-x N层12之间的异质界面近旁部分的Inz Ga1-z N层16处形成二维电子气16。 |
