半导体电路和半导体电路的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110641441.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113380780A | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN113380780A | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | H01L25/16（2006.01）I;H01L23/14（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 左安超;谢荣才;王敏 | 申请（专利权）人 | 广东汇芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市辰为知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 唐文波 |
| 地址 | 528000广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体电路和半导体电路的制造方法，通过电路基板上设置绝缘层；电路层设置在第一绝缘层上；多个引脚的第一端分别与电路层电性连接；密封本体至少包裹设置电路层的电路基板的一表面，各引脚的第二端从密封本体露出；电路基板包括第一冷却件和第二冷却件，且由第一冷却件和第二冷却件混合制备得到，实现对电路基板上的功率器件进行高效散热。本申请通过第一冷却件和第二冷却件混合制备得到电路基板，提升了电路基板的导热性，能够将电路基板扇功率器件产生的热量更快的导出，且混合制备得到的电路基板与半导体电路的热膨胀系数相近，有利于功率器件热量及时散出，提升半导体电路的可靠性。 |
