多层纵向OTP存储器
基本信息
| 申请号 | CN201711115765.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109817622A | 公开（公告）日 | 2019-05-28 |
| 申请公布号 | CN109817622A | 申请公布日 | 2019-05-28 |
| 分类号 | H01L27/115（2017.01）I; H01L27/095（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭泽忠; K·J·韩 | 申请（专利权）人 | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 地址 | 610041 四川省成都市高新区府城大道西段399号5栋1单元11层3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 多层纵向OTP存储器，涉及存储器技术。本发明含有：至少3层导电板，各层导电板彼此绝缘，各层导电板皆设置有电路接口，用于与外部电路连接；按M×N行列排列的导电柱，M和N皆为大于2的整数；每一导电柱皆与各层导电板相交，在导电板与导电柱的相交处，导电板与导电柱之间设置有存储单元；所述存储单元由掺杂类型相异的两个半导体层以及设置于两个半导体层之间的绝缘电介质层构成；或者，所述存储单元由符合在该交叉点处产生肖特基接触所需的两个肖特基材料层以及设置于两个肖特基材料层之间的绝缘电介质层构成。本发明具有存储密度高，成本低，可靠性高的特点，能够在恶劣的环境条件下相当长期地存储数据。 |
