高密度三维结构半导体存储器及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910726539.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110610943A | 公开（公告）日 | 2019-12-24 |
| 申请公布号 | CN110610943A | 申请公布日 | 2019-12-24 |
| 分类号 | H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11526;H01L27/11578 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭泽忠 | 申请（专利权）人 | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区府城大道西段399号5栋1单元11层3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 高密度三维结构半导体存储器及制备方法，涉及半导体存储器技术。本发明的存储器包括三维存储体和选择MOS管区域；所述三维存储体包括：至少两个导电条层，每个导电条层包括至少3条并列的导电条；设置于同层且相邻两个导电条之间的立柱，立柱的轴线垂直于导电条的轴线，立柱具有导电性；在立柱和导电条交叉处设置有存储单元；其特征在于，所述选择MOS管为层状平面结构，其衬底、掺杂区、栅极介质区和栅区皆为垂直于立柱轴线的平面结构体。本发明的存储器完全可以基于标准MOS工艺实现，具有更低的成本和更高的良率。 |
