半导体存储器制备方法及半导体存储器
基本信息
| 申请号 | CN201910592710.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110491785A | 公开（公告）日 | 2019-11-22 |
| 申请公布号 | CN110491785A | 申请公布日 | 2019-11-22 |
| 分类号 | H01L21/304（2006.01）; H01L21/78（2006.01）; H01L21/56（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭泽忠 | 申请（专利权）人 | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区府城大道西段399号5栋1单元11层3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 半导体存储器制备方法及半导体存储器，涉及半导体及生产制备工艺。本发明的半导体存储器制备方法包括下述步骤：a、采用半导体集成电路制造工艺，在晶圆上制作基本存储模块阵列，基本存储模块具有IO电路接口；b、对晶圆划片，得到存储芯片；c、将分离得到的存储芯片进行封装；所述步骤a中，正交方向相邻基本存储模块的IO电路接口通过互联线连接；所述步骤b为，按照预定的存储芯片容量，确定存储芯片内所包含的基本存储模块的数量及存储芯片边缘线的位置，然后沿存储芯片边缘线划片，同时切断跨越边缘线的互联线，将存储芯片整体从晶圆分离。采用本发明的技术，能以一套掩模生产不同容量的存储器，极大的降低了工艺成本。 |
