三维可编程存储器制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910109123.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109887923A | 公开（公告）日 | 2019-06-14 |
| 申请公布号 | CN109887923A | 申请公布日 | 2019-06-14 |
| 分类号 | H01L27/11578（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭泽忠 | 申请（专利权）人 | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区府城大道西段399号5栋1单元11层3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 三维可编程存储器制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明包括：1)形成具有层叠结构的基础结构体的步骤；2)在基础结构体上，沿层叠方向开设深孔的步骤；3)在深孔内壁沉积中间介质层，并在内壁带有中间介质层的深孔内填充导电介质的步骤；所述步骤3)包括：3.1)在深孔内壁沉积中间介质层；3.2)在内壁带有中间介质层的深孔内填充导电介质，形成内部导电介质层；3.3)在选定的深孔内的内部导电介质层和选定的深孔外的连接导体之间施加击穿电压，以击穿内部导电介质层和深孔外的连接导体之间的中间介质层，使内部导电介质层和深孔外的连接导体之间形成导电连接。本发明具有良率高(次品率低)的特点。 |
