高密度三维可编程存储器的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110233574.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035874A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035874A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L27/112;H01L27/115 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭泽忠 | 申请（专利权）人 | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘勋 |
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区府城大道西段399号5栋1单元11层3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 高密度三维可编程存储器的制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明包括下述步骤：1）形成基础结构体；2）对基础结构体开槽；3）在分割槽的内壁逐层设置预设的存储器结构所需的各存储介质层；4）在分割槽中填充核心介质，形成核心介质层；5）采用掩膜下刻蚀工艺，沿填充有核心介质的分割槽刻蚀深孔，由深孔截断分割槽中的核心介质；6）在深孔中填充绝缘介质。本发明成本低，可以取得最高的存储密度。 |
