全自对准高密度3D多层存储器的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110189418.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112992906A | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN112992906A | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | H01L27/112 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭泽忠;王苛 | 申请（专利权）人 | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘勋 |
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区府城大道西段399号5栋1单元11层3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 全自对准高密度3D多层存储器的制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明包括下述步骤：1）形成基础结构体；2）对基础结构体开槽；3）在分割槽中填充绝缘介质；4）深孔刻蚀步骤3）填充的绝缘介质，形成沿分割槽离散排列的存储单元孔，相邻的存储单元孔之间为绝缘介质,并且基础结构体部分暴露于存储单元孔内；5）在存储单元孔内逐层设置预设的存储器结构所需的各层介质。采用本发明技术制备得到的半导体存储器存储密度高。 |
