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多层一次性可编程永久存储器单元及其制备方法

基本信息

申请号 CN201780089270.6 申请日 -
公开（公告）号 CN110520977A 公开（公告）日 2019-11-29
申请公布号 CN110520977A 申请公布日 2019-11-29
分类号 H01L21/8239;G11C11/00 分类 基本电气元件;
发明人 彭泽忠 申请（专利权）人 成都皮兆永存科技有限公司
代理机构 成都惠迪专利事务所（普通合伙） 代理人 成都皮兆永存科技有限公司
地址 610000 四川省成都市高新区府城大道西段399号5栋1单元11层3号
法律状态 -

摘要

摘要 多层一次性可编程永久存储器单元及其制备方法，涉及存储器技术。本发明提供一种多层一次性可编程永久存储器单元，含有：至少两层一次性可编程永久存储器模块，一层堆叠在另一层的上面；所述至少两层一次性可编程永久存储器模块的每一层，包含有用反相掺杂半导体材料制成的M行和N列，其中M和N是大于1正整数；薄绝缘电介质材料设置在所述至少两层一次性可编程永久存储器模块的每一层的所述M行和N列的相交处，在M行和N列之间；所述薄绝缘电介质材料在每一所述M行和N列的顶面和底面之一上。本发明的多层OTP永久存储器单元具有高存储密度。