三维可编程存储器的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811117240.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109545787B | 公开（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申请公布号 | CN109545787B | 申请公布日 | 2021-04-09 |
| 分类号 | H01L27/115(2017.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭泽忠 | 申请（专利权）人 | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘勋 |
| 地址 | 610000四川省成都市高新区府城大道西段399号5栋1单元11层3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 三维可编程存储器的制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明包括下述步骤：1)形成基础结构体；2)对基层结构体开槽；3)在条形槽的内壁逐层设置预设的存储器结构所需的各存储介质层；4)在条形槽的空腔中填充核心介质，形成核心介质层；5)在条形槽的端部区域设置自顶层到底层贯穿的隔离槽，从形状上由隔离槽将各条形槽首尾连接为一条曲线，隔离槽侵入条形槽以使条形槽长边方向两侧的导电介质形成绝缘隔离；并在条形槽上开设自顶层到底层贯穿的切割槽孔，切割槽孔侵入其所在条形槽长边邻近的基础结构体，切割槽孔将条形槽分割为至少3个独立的存储体；6)在隔离槽和切割槽孔中填充绝缘介质。本发明得到的半导体存储器存储密度高。 |
