一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法及刻蚀InP材料
基本信息
| 申请号 | CN201710631297.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107359113B | 公开（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申请公布号 | CN107359113B | 申请公布日 | 2021-04-13 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 晏小平;秦金;王亮;王肇中 | 申请（专利权）人 | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智权专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张凯 |
| 地址 | 430070湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号A5-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法及刻蚀InP材料，涉及半导体材料干法刻蚀领域，包括以下步骤：S1、在InP‑外延片上通过PECVD设备，生长一层SiO2薄膜；S2、通过光刻工艺，将掩膜版上的待蚀刻图形复制在光刻胶上；S3、将光刻后的样品光刻胶上的图形转移到SiO2阻挡层上；S4、通过湿法去胶，将光刻胶去除干净；S5、将待刻蚀的样品用KOH溶液清洗2～3分钟，清洗后冲水并干燥处理；S6、将样品载入RIE工艺腔体中进行刻蚀。本发明使用RIE设备刻蚀InP材料的方法通过对干法刻蚀工艺的改进，解决了反应离子刻蚀设备刻蚀InP过程中产生的聚合物副产物污染样品的问题。 |
