一种获取雪崩二极管关键参数的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110517997.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113358992A | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN113358992A | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | G01R31/26 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 胡勤伟;王肇中 | 申请（专利权）人 | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智权专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张凯 |
| 地址 | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道未来三路武汉光谷激光科技园主楼12楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及InP基雪崩二极管器件关键参数技术领域，具体涉及一种获取雪崩二极管关键参数的方法，该方法通过实测待测雪崩二极管的多个测点的测点光电流和测点电压，根据测点光电流确定对应的测点增益；将对应测点的测点增益和测点电压进行数学变换后进行线性拟合，并确定拟合线形的斜率和截距；在实际应用中通过斜率和截距即可确定击穿电压。还可根据斜率和击穿电压确定器件增益和施加电压的对应关系，能够迅速地得到在几倍Vbr时的M值，不用先根据Vbr和倍数算得电压值再依此去寻找对应光电流从而得到M值，该方案能够解决按照固定暗电流求得击穿电压不准而引起器件工作点偏离的问题。 |
