一种深台面型光电子器件及其电极光刻制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011302059.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112466994A | 公开（公告）日 | 2021-03-09 |
| 申请公布号 | CN112466994A | 申请公布日 | 2021-03-09 |
| 分类号 | G03F1/80(2012.01)I;H01L31/102(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张舟;刘媛媛;王肇中 | 申请（专利权）人 | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智权专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孟欢 |
| 地址 | 430206湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号C1-901室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种深台面型光电子器件及其电极光刻制备方法，方法包括步骤：加工形成深台面刻蚀器件；在深台面刻蚀器件上匀涂第一层反转光刻胶，并进行第一次坚膜烘烤，使第一层反转光刻胶固化；在第一层反转光刻胶上匀涂第二层反转光刻胶，并进行第二次坚膜烘烤，以使所有光刻胶的厚度覆盖吸收区的侧壁；依次完成掩膜曝光、反转烘烤、泛曝光及显影工艺，形成碗状结构的光刻胶；依次进行金属生长沉积、金属lift‑off，得到电极光刻后的深台面型光电子器件。本申请提供的深台面型光电子器件的电极光刻制备方法，有效解决了因侧壁光刻胶覆盖不足导致器件短路失效的问题，同时改善了电极lift‑off工艺良率。 |
