一种平面型APD的外延结构、APD及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011458010.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112420860A | 公开（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申请公布号 | CN112420860A | 申请公布日 | 2021-02-26 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曾磊;王肇中;周广通;张舟 | 申请（专利权）人 | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智权专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孟欢 |
| 地址 | 430206湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号C1-901室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种平面型APD的外延结构、APD及其制作方法，所述平面型APD的外延结构包括倍增层，所述倍增层包括至少一组倍增单元，所述倍增单元从上到下依次包括载流子加速区和碰撞电离区，且所述载流子加速区为本征InAlAs材料，所述碰撞电离区为本征InP材料。本申请提供的平面型APD的外延结构，可降低过剩噪声，同时，在APD制造中，便于控制扩散深度。 |
