窄光谱响应的光电探测器及其制作方法和设计方法
基本信息
| 申请号 | CN202010645475.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111769168B | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN111769168B | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L31/0232（2014.01）I;H01L31/107（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;CN 1414642 A,2003.04.30;US 2019371956 A1,2019.12.05 周震等.GaAs/GaInNAs多量子阱谐振腔增强型长波长光探测器.《光电子.激光》.2005,第16卷（第02期）,159-163.;刘成等.InP/空气隙结构的制作与特性.《光电子.激光》.2008,第19卷（第09期）,1188-1191. | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曾磊;王肇中;李林;刘媛媛 | 申请（专利权）人 | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智权专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孟欢 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号C1-901室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种窄光谱响应的光电探测器及其制作方法和设计方法，所述光电探测器自上而下依次包括第一反射镜、功能区和第二反射镜；所述第一反射镜为通过气相沉积法形成的分布式布拉格DBR反射镜；所述第二反射镜为高折射率对比度的悬空反射镜，且所述第二反射镜的折射率对比度大于2。本申请提供的窄光谱响应的光电探测器，具有厚度小、制造成本低、工艺难度小的优点。 |
