一种半导体掺杂工艺的表征方法、装置及系统
基本信息
| 申请号 | 2020111182742 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112014333B | 公开（公告）日 | 2020-12-01 |
| 申请公布号 | CN112014333B | 申请公布日 | 2020-12-01 |
| 分类号 | G01N21/25(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 顾世海;王肇中;申衍伟;程腾 | 申请（专利权）人 | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智权专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孟欢 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号C1-901室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种半导体掺杂工艺的表征方法、装置及系统，所述表征方法包括步骤：根据光致发光测试设备测得的半导体材料的特征光谱曲线，得到所述半导体材料的半峰宽；根据所述半导体材料的半峰宽来表征半导体材料的掺杂浓度和掺杂深度，并根据半峰宽的均匀性来表征掺杂工艺的均匀性。本申请提供的半导体掺杂工艺的表征方法，不仅可以对小于300um的选择性掺杂区域的杂质浓度和掺杂深度进行表征，适用范围更广，而且此种方法为非接触式非破坏性测试，不会对半导体材料造成损伤，更加安全可靠。 |
