台面型二极管及其制作方法、阵列芯片的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010640934.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111755555B | 公开（公告）日 | 2022-01-07 |
| 申请公布号 | CN111755555B | 申请公布日 | 2022-01-07 |
| 分类号 | H01L31/107（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曾磊;王肇中 | 申请（专利权）人 | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智权专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孟欢 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号C1-901室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种台面型二极管及其制作方法、阵列芯片的制作方法，所述台面型二极管自下而上依次包括倍增层、杂质控制层和高掺杂P型层，所述倍增层包括扩散区和倍增区，且所述扩散区和所述杂质控制层均由所述高掺杂P型层中的杂质在加热过程中向下扩散而成。本申请提供的台面型二极管，可以避免采用扩散炉、有机金属气相沉积等杂志扩散设备，直接通过加热扩散的方式调整倍增区的厚度，调整各外延片之间存在的片间差异和同一外延片内各单元之间的差异，提高阵列芯片各单元之间的一致性，进而提高阵列芯片的性能和良率。 |
