一种制备双电子传输层钙钛矿太阳能电池方法
基本信息
| 申请号 | CN201910151582.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109768168A | 公开（公告）日 | 2019-05-17 |
| 申请公布号 | CN109768168A | 申请公布日 | 2019-05-17 |
| 分类号 | H01L51/42（2006.01）I; H01L51/46（2006.01）I; H01L51/48（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王堉; 陈乐伍; 赖其聪; 周航 | 申请（专利权）人 | 深圳市先进清洁电力技术研究有限公司 |
| 代理机构 | 北京卓岚智财知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 深圳市先进清洁电力技术研究有限公司 |
| 地址 | 518100 广东省深圳市雅宝路1号星河WORLD一期A栋28层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供本发明提供了一种利用双电子传输层结构制备高性能钙钛矿太阳能电池的方法。所述方法包括：在掺杂氟的氧化锡透明导电玻璃上制备双电子传输层；所述双电子传输层为铟镓锌氧薄膜和氧化锡薄膜，所述IGZO薄膜的制备方法可选磁控溅射或者溶液旋涂，层厚10‑45nm；采用溶液旋涂的方法制备一层有机无机杂化钙钛矿结构的FA0.7MA0.2Cs0.1Pb(Br0.05I0.95)3作为光吸收层；采用溶液旋涂的方法制备一层Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层；采用真空蒸镀金电极。上述技术方案具有如下有益效果：减少太阳能电池内部载流子复合促进有效能量输出，提高太阳能电池的填充因子(FF)，以制备高能量转换效率的太阳能电池。 |
