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一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路

基本信息

申请号	2020220780806	申请日	-
公开（公告）号	CN212435579U	公开（公告）日	2021-01-29
申请公布号	CN212435579U	申请公布日	2021-01-29
分类号	H02M1/44(2007.01)I	分类	发电、变电或配电;
发明人	贺江平;王俊喜;孙晓良	申请（专利权）人	深圳市思远半导体有限公司
代理机构	深圳君信诚知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	薛吉林
地址	518000广东省深圳市南山区西丽街道第五工业区外经工业厂房A栋502
法律状态	-

摘要

本实用新型提供了一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，包括：ESD器件、设置在ESD器件的发射极和基极之间的抑制电阻、第一寄生三极管、第二寄生三极管、第三寄生三极管以及外部电源；第一寄生三极管以及第二寄生三极管的基极与ESD器件的集电极连接，第一寄生三极管以及第二寄生三极管的发射极与ESD器件的基极连接，第一寄生三极管以及第二寄生三极管的集电极分别与外部电源连接；第三寄生三极管的基极分别与ESD器件的基极以及第一寄生三极管的发射极连接，第三寄生三极管的发射极与ESD器件的发射极连接，第三寄生三极管的集电极分别与ESD器件的集电极、第一寄生三极管的基极以及第二寄生三极管的基极连接。本实用新型能够提高ESD器件抗闩锁效应的能力。