一种低压零功耗CMOS上电检测电路
基本信息
| 申请号 | CN201920650705.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210090550U | 公开（公告）日 | 2020-02-18 |
| 申请公布号 | CN210090550U | 申请公布日 | 2020-02-18 |
| 分类号 | G01R19/165;G06F1/24;H03K17/22 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 庄在龙 | 申请（专利权）人 | 南京芯耐特半导体有限公司 |
| 代理机构 | 南京聚匠知识产权代理有限公司 | 代理人 | 南京芯耐特半导体有限公司 |
| 地址 | 211800 江苏省南京市浦口区江浦街道浦滨大道88号浦口科创广场B座509 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种低压零功耗CMOS上电检测电路，包括电容Cp、NMOS器件NM1、RS触发器、一级反相器I3、分压模块、整形模块、二级反相器I4、对地延迟电容C1、三级反相器。本实用新型采用PM1和电阻R1的分压的结构，可以在低电压下，实现上电电平的检测，同时PM2和C1产生的延迟，可以帮助快速检测电源上电情况下，产生足够逻辑电路复位的延迟区间；NM1帮助在正常工作状态下，避免产生静态电流消耗，做到无静态功耗的启动电路，适用于低压，低功耗的集成电路芯片应用。 |
