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小能带隙III-V族MOSFET器件的非对称型源漏极结构

基本信息

申请号 CN201610337865.6 申请日 -
公开（公告）号 CN105826392B 公开（公告）日 2018-08-31
申请公布号 CN105826392B 申请公布日 2018-08-31
分类号 H01L29/78;H01L29/417 分类 基本电气元件;
发明人 莫炯炯;陈华;王志宇;尚永衡;王立平;郁发新 申请（专利权）人 杭州立昂东芯微电子有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 杭州立昂东芯微电子有限公司
地址 310018 浙江省杭州市经济技术开发区20号大街199号1-5幢
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种小能带隙III‑V族MOSFET器件的非对称型源漏极结构，属于半导体器件技术领域。本发明通过在源极、漏极引入不同高掺杂漏极、漏极材料结构，并在漏极引入场板、隔离层侧墙结构，在保证源极有足量载流子输入的情况下，在漏极减小最高电场强度，使器件的离子化效应以及隧道击穿效应产生阈值提高，从而减小漏电流。同时，通过隔离层侧墙，漏极寄生电容得以减小，器件的频率特性从而得以提高。本发明能够提高III‑V MOSFET器件截止电压，减小离子化效应及隧道击穿效应，从而降低器件静态漏电流及相应静态功耗；同时通过减小寄生电容提高器件频率特性。