一种基于PHEMT工艺的MMIC等效管芯模型
基本信息
| 申请号 | CN201610135225.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105740580B | 公开（公告）日 | 2019-02-22 |
| 申请公布号 | CN105740580B | 申请公布日 | 2019-02-22 |
| 分类号 | G06F17/50 | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 朱恒;童华清;徐秀琴;许慧;屠志晨;王志宇;尚永衡;郁发新 | 申请（专利权）人 | 杭州立昂东芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 杭州立昂东芯微电子有限公司 |
| 地址 | 310018 浙江省杭州市经济技术开发区20号大街199号1-5幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于PHEMT工艺的MMIC的等效管芯模型。该等效管芯模型包括栅极、源极、漏极、热源、连接条a、连接条b。其中栅极、源极、漏极的尺寸与实际MMIC芯片中晶体管的尺寸一致。热源放置在栅极的下面，其长度和宽度与栅极一致，厚度为0.1微米，其热耗大小根据芯片中每级管芯栅宽平均分配得到。本发明实现了在通用的热分析软件中准确模拟PHEMT工艺的MMIC管芯热分布，为整个芯片的电路设计以及可靠性设计提供了有效快捷的方法。 |
