一种基于砷化镓器件的MIM电容器及其制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN201610174315.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105845669B | 公开（公告）日 | 2018-06-12 |
| 申请公布号 | CN105845669B | 申请公布日 | 2018-06-12 |
| 分类号 | H01L23/64;H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汪耀祖 | 申请（专利权）人 | 杭州立昂东芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 杭州立昂东芯微电子有限公司 |
| 地址 | 310018 浙江省杭州市下沙经济技术开发区20号大街199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于砷化镓器件的MIM电容器，包括砷化镓半导体基底、底层金属电极、顶层金属电极以及设于底层金属电极与顶层金属电极之间的绝缘层，底层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，底层金属电极总厚度为0.57~1.13μm；绝缘层为厚度为450~950埃的单层氮化硅薄膜；顶层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，顶层金属电极总厚度为0.17~0.53μm。本发明的电容密度是传统电容的电容密度的2‑3倍，均匀性<+/‑10%，质量可靠，能满足不同客户的要求。本发明还公开了一种基于砷化镓器件的MIM电容器制造工艺，工艺步骤简单，可操作性强，制造成本低，精度高，适合批量生产。 |
