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一种化合物半导体层间介电导线及其制备方法

基本信息

申请号 CN201710345312.X 申请日 -
公开（公告）号 CN107424978A 公开（公告）日 2017-12-01
申请公布号 CN107424978A 申请公布日 2017-12-01
分类号 H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 任华;程岸;汪耀祖 申请（专利权）人 杭州立昂东芯微电子有限公司
代理机构 杭州杭诚专利事务所有限公司 代理人 杭州立昂东芯微电子有限公司
地址 310018 浙江省杭州市市辖区杭州下沙经济技术开发区20号大街199号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于半导体技术领域。本发明公开了一种化合物半导体层间介电导线，其包括由SiNx介电层、BCB有机介电层和金属导电层组成的导线层，其中根据具体需求由一个或多个导线层组成；本发明还公开了一种化合物半导体层间介电导线的制备方法，包括SiNx介电层沉积、BCB有机介电层沉积、SiO2硬掩膜沉积、光刻显影金属导线连接孔槽图形、刻蚀接线柱、溅射金属导线种子层、光刻显影金属导线图形、电镀金属导线和除去金属导线种子层等步骤。本发明中的化合物半导体层间介电导线架构更稳定、电容更低、电延迟更小、集成度高并能够保证高频高功率工作状态下具有更优表现；本发明中的制备方法工艺成熟、可以实现大规模产业化生产制造。