一种半导体器件的高功率微波应用
基本信息
| 申请号 | CN201711224427.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109856520A | 公开（公告）日 | 2019-06-07 |
| 申请公布号 | CN109856520A | 申请公布日 | 2019-06-07 |
| 分类号 | G01R31/26（2014.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 泰瑞科微电子（淮安）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 211700江苏省淮安市盱眙县经济开发区新海大道2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的高功率微波应用，本发明小功率时为非线性检波、非线性变频和非线性压缩效应，大功率时为非线性损伤效应；非线性检波、非线性变频是高频HPM能量转换成低频能量对低频电子系统发生干扰、扰乱效应的主要机制，获得了非线性检波/变频电压随HPM功率增大而增大但增长速率变慢的效应规律，得出检波/变频电压与微波功率的经验公式，获得了检波效率随带外微波频率增大而减小的效应规律；非线性压缩效应是微波器件HPM干扰效应的主要机制。 |
