功率MOSFET
基本信息
| 申请号 | CN201710908423.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109585445B | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN109585445B | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖胜安 | 申请（专利权）人 | 深圳尚阳通科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭四华 |
| 地址 | 518057广东省深圳市南山区高新区中区科丰路2号特发信息港B栋601-602单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种功率MOSFET，功率MOSFET的有源区包括多个并联的原胞，各原胞包括栅极结构、沟道区、源区、漂移区和漏区；栅极结构包括栅介质层和多晶硅栅，被多晶硅栅覆盖的沟道区的表面用于形成沟道；原胞按照阈值电压的不同分为2种以上，用以降低功率MOSFET在开关过程中的电流变化和电压变化；在开启过程中，按照阈值电压从小到大的顺序依次开启和阈值电压对应的原胞；在关断过程中，按照阈值电压从大到小的顺序依次关断和阈值电压对应的原胞。本发明能降低开关速度，从而降低开关过程中电流和电压的变化。 |
