屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710102757.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108511341B | 公开（公告）日 | 2021-04-02 |
| 申请公布号 | CN108511341B | 申请公布日 | 2021-04-02 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李东升 | 申请（专利权）人 | 深圳尚阳通科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭四华 |
| 地址 | 518057广东省深圳市南山区高新区中区科丰路2号特发信息港B栋601-602单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件，包括：器件单元区，栅极总线区，终端区，栅极总线区的沟槽为器件单元区的沟槽的延伸结构，终端区的沟槽环绕在器件单元区的周侧，三个区域中的沟槽内形成的栅极结构工艺相同。器件单元区的栅极结构中，屏蔽电极纵向贯穿整个沟槽，沟槽栅电极为屏蔽电极的顶部两侧。将形成于沟槽的顶部表面和侧面的场氧层的厚度设置为大于接触孔的宽度，使得栅极对应的接触孔直接落在栅极总线区的沟槽栅电极表面，从而使得三个区域的场氧层和沟槽栅电极都为通过全面回刻得到的结构。本发明还公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法。本发明能减少光刻层次，降低工艺成本。 |
