超结器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710500170.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109148555B | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN109148555B | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖胜安;曾大杰;李东升;郑怡 | 申请（专利权）人 | 深圳尚阳通科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭四华 |
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区高新区中区科丰路2号特发信息港B栋601-602单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种超结器件，设置有环绕在电荷流动区周侧的保护环氧化膜，使JFET区域和源区都能实现全面注入，过渡区中的第二接触孔的横向尺寸大于电荷流动区中的第一接触孔的最小横向尺寸，且保证第二接触孔在比第一接触孔多穿过一层保护环氧化膜的条件下具有较小的高宽比，从而既能提高第二接触孔的面积从而提高过渡区的载流子收集能力，又能降低第二接触孔的高宽比从而使得对较深深度的第二接触孔进行无针孔金属填充。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能提高器件的抗雪崩击穿能力，同时能防止在过渡区中接触孔中出现金属填充针孔，提高器件的可靠性，还能减少光刻层次，降低工艺成本。 |
