超结器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710500207.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109148557A | 公开（公告）日 | 2021-06-11 |
| 申请公布号 | CN109148557A | 申请公布日 | 2021-06-11 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L21/337;H01L29/808 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖胜安;曾大杰 | 申请（专利权）人 | 深圳尚阳通科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭四华 |
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区高新区中区科丰路2号特发信息港B栋601-602单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种超结器件，设置有环绕在电荷流动区周侧的保护环氧化膜，过渡区中接触孔的高宽比大于等于电荷流动区中接触孔的高宽比，采用钨塞工艺填充同时实现不同高宽比的接触孔的可靠填充，P型阱的宽度小于P型柱的宽度，在P型阱和N型区域之间形成缓变结二极管。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能在过渡区中接触孔采用较高的高宽比时进行可靠填充，能减少光刻层次，还有利于对接触孔按照器件需要进行布局，同时保证器件的抗雪崩击穿能力不受过渡区的接触孔工艺的影响，能减少所述P型阱对沟道区域位置处的N型区域的宽度的影响，使器件的导通电阻减少；能改善器件的输出电容的非线性，改善器件应用中的EMI问题。 |
