超结器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710500822.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109148558B | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN109148558B | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖胜安;曾大杰 | 申请（专利权）人 | 深圳尚阳通科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭四华 |
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区高新区中区科丰路2号特发信息港B栋601-602单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种超结器件，设置有环绕在电荷流动区周侧的保护环氧化膜，使JFET区域和源区都能实现全面注入，过渡区中的第二接触孔的高宽比大于等于电荷流动区中的第一接触孔的高宽比，采用钨塞工艺填充同时实现对具有不同高宽比的第一和二接触孔的可靠填充，P型阱的注入区的宽度小于P型柱的宽度，能使沟道区域位置处的N型区域的宽度增加。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能在过渡区中接触孔采用较高的高宽比时进行可靠填充，能减少光刻层次，还有利于对接触孔按照器件需要进行布局，同时保证器件的抗雪崩击穿能力不受过渡区的接触孔工艺的影响，能增加沟道区域的N型区域的有效宽度，降低器件的比导通电阻。 |
