一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产时的碱金属掺杂处理法
基本信息
| 申请号 | CN201911203612.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111223963B | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN111223963B | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡煜霖;刘宽菲;任宇航 | 申请（专利权）人 | 尚越光电科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州知见专利代理有限公司 | 代理人 | 赵越剑 |
| 地址 | 311121 浙江省杭州市余杭区五常街道余杭塘路1999号尚越绿谷中心1幢603室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产时的碱金属掺杂处理法，依次包括如下步骤：（1）先沉积一层Mo背电极层；（2）再沉积一层碱金属卤化物；（3）再共蒸发In、Ga、第六主族固态单质，（4）再共蒸发Cu、第六主族固态单质；（5）再沉积一层碱金属卤化物；（6）再共蒸发Cu、第六主族固态单质；（7）再共蒸发In、Ga、第六主族固态单质；（8）最后再沉积一层碱金属卤化物；（9）退火处理。本发明能够有效增加Mo层与CIGS层的附着力、增加CIGS空穴浓度、降低薄膜表面粗糙度、减少CdS缓冲层厚度并且提高薄膜太阳能电池开路电压、光电转换效率。 |
