一种通过等离子体辉光光谱来控制磁控溅射镀膜杂质含量的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011601018.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112746259A | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN112746259A | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/14;C23C14/08 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 瞿佳华;刘宽菲;任宇航 | 申请（专利权）人 | 尚越光电科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州知见专利代理有限公司 | 代理人 | 赵越剑 |
| 地址 | 311121 浙江省杭州市余杭区五常街道余杭塘路1999号尚越绿谷中心1幢603室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种通过等离子体辉光光谱来控制磁控溅射镀膜杂质含量的方法，光谱分析工作站分析收集到的光谱内容进行处理，对其中的光谱信息进行表征，并得出等离子体的光谱图；将所得光谱图和标准光谱图进行对比分析，若光谱图正常，则磁控溅射工艺正常进行，若光谱图异常，则自动停止磁控溅射工艺，并采取修正措施后继续磁控溅射；最终磁控溅射镀膜获得Mo背电极或TCO层。本发明通过辉光放电过程进行监控，能准确检测出惰性气体氛围和靶材中的杂质，同时能确定杂质的种类，针对不同的杂质做出准确有效的调控措施，从而有效控制镀膜中的杂质含量，并确保镀膜质量。 |
