一种用于集成电路的可控硅静电防护器件
基本信息
| 申请号 | CN202210313795.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695345A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695345A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 董树荣;俞方俊;朱信宇;邓非凡;陈奕鹏 | 申请（专利权）人 | 浙江大学 |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 310058浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于集成电路的可控硅静电防护器件，包括衬底以及设于衬底上的器件区，器件区包括相邻设置的N阱和P阱，N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区和第二P+注入区，P阱内设有第二N+注入区、第三N+注入区和第三P+注入区，器件区外还设有第一多晶硅和第二多晶硅，第一多晶硅与第一P+注入区、N阱、第二P+注入区构成PMOS管；第二多晶硅与第二N+注入区、P阱、第三N+注入区构成NMOS管；第一P+注入区、第一多晶硅、第二N+注入区通过金属导线相连并接入电学阳极；第二P+注入区、第二多晶硅、第三N+注入区通过金属导线相连并接入电学阴极；第一N+注入区与第三P+注入区通过金属导线相连。 |
