一种多孔泡沫镍负载氧化锰纳米片阵列的制备方法及应用

基本信息

申请号 CN202010505560.8 申请日 -
公开(公告)号 CN111627726A 公开(公告)日 2020-09-04
申请公布号 CN111627726A 申请公布日 2020-09-04
分类号 H01G11/86(2013.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 朱青;陈晓露;靳顺茹;汤乐;李磊磊;杨丽 申请(专利权)人 苏州机数芯微科技有限公司
代理机构 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 代理人 苏州机数芯微科技有限公司
地址 215000江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城1幢505-3室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种多孔泡沫镍负载氧化锰纳米片阵列的制备方法及应用,涉及超级电容器电极材料制备技术领域,包括以下步骤:将高锰酸钾溶于去离子水配制溶液,将泡沫镍网进行清洗处理;然后将高锰酸钾溶液和泡沫镍网一起转移至水热反应釜中,加热、保温进行水热反应,反应结束后洗涤反应产物,干燥,得表面长有无定型锰氧化物前驱体的泡沫镍,将其在惰性气氛中进行煅烧,即得。本发明制得的泡沫镍负载氧化锰纳米片阵列结构可以有效提高活性材料的电容值,缩短离子转移的路径长度,缓冲充放电过程中释放的机械应力,在高倍率和长周期的充放电循环中,可以有效保持较高的比容量不衰减,有望实现工业化大规模生产。