新型等离子体增强化气相沉积氧化物高阻隔膜放电结构

基本信息

申请号 CN202110023434.3 申请日 -
公开(公告)号 CN112575318A 公开(公告)日 2021-03-30
申请公布号 CN112575318A 申请公布日 2021-03-30
分类号 C23C16/50(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 邵海平;李中华;刘莉云;曹英朝 申请(专利权)人 广东谛思纳为新材料科技有限公司
代理机构 深圳市千纳专利代理有限公司 代理人 陈培琼
地址 523000广东省东莞市长安镇沙头社区靖海西路99号B栋二楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种新型等离子体增强化气相沉积氧化物高阻隔膜放电结构,中频电源、放电电极、导向轴和主动轮;本发明的结构设计巧妙、合理,由于永磁体是固定在所述放电电极内,而且放电电极是固定不可旋转,避免了因电极旋转切割磁力线产生的电磁阻力的影响,大幅提高被镀基膜的运行速度,进而提高镀膜效率。而且被镀基膜的运动是由独立的主动轮带动,有效地避免了放电电极切割磁力线产生的感生电压问题。同时通过导向轴确保被镀基膜经过高密度等离子体区域时终于保持与放电电极之间的距离是相对恒定,进而能确保在被镀基膜上沉积的氧化物薄膜也是均匀一致的,有效提高了氧化物高阻隔膜产品的成品率,确保产品质量。