一种在线刻写具有高旁瓣抑制比光栅的装置和方法
基本信息
| 申请号 | CN202010071566.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111208603A | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN111208603A | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | G02B6/02 | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 余海湖;邹慧茹;高文静;郑羽;李政颖;江山;郭会勇;徐一旻 | 申请（专利权）人 | 武汉烽理光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 孙方旭 |
| 地址 | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种在线刻写具有高旁瓣抑制比光栅的装置和方法，该装置包括准分子激光器、整形透镜组、聚焦透镜、相位掩模板和渐变衰减片，渐变衰减片安装在聚焦透镜和相位掩模板之间，将曝光于光纤的光斑能量进行有效调制，实现光斑沿光纤方向能量类似于高斯分布；渐变衰减片的上下宽度和渐变衰减系数根据聚焦光斑长度和对应光栅谱形进行设计，可以实现对不同长度的光栅的旁瓣抑制化处理。本发明可以实现在线制备具有高旁瓣抑制比的光栅阵列。 |
