一种适用于30um金丝键合芯片电容器
基本信息
| 申请号 | CN202021289219.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213459436U | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN213459436U | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | H01G4/005（2006.01）I;H01G4/008（2006.01）I;H01G4/12（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭小丽;曹志学;张亚梅;刘东阳;杨金勇;吴良臣;黄琳 | 申请（专利权）人 | 成都宏科电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都睿道专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陶红 |
| 地址 | 610100四川省成都市经济技术开发区（龙泉驿）星光中路20号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及电子设备技术领域，公开了一种适用于30um金丝键合芯片电容器，从上之下依次设有第一金电极层、第一过渡金属层、陶瓷介质体、第二过渡金属层和第二金电极层；第一金电极层的厚度大于等于3μm；第一过渡金属层包括多层金属层；第二过渡金属层包括多层金属层；第二金电极层的厚度大于等于3μm。本实用新型有效的解决了传统电容器与直径较细金丝键合强度不够的问题。 |
