首页/ 上海旻森电子科技有限公司/ 专利详情

一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路结构

基本信息

申请号 CN202121663591.2 申请日 -
公开（公告）号 CN214959460U 公开（公告）日 2021-11-30
申请公布号 CN214959460U 申请公布日 2021-11-30
分类号 H03F3/213（2006.01）I;H03F1/30（2006.01）I 分类 基本电子电路;
发明人 王国瑞;张福泉;汪金铭;王圣礼 申请（专利权）人 上海旻森电子科技有限公司
代理机构 北京众允专利代理有限公司 代理人 沈小青
地址 200120上海市浦东新区秋月路26号矽岸国际1号楼3楼D室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路结构，包括窄脉冲产生器，所述窄脉冲产生器的输出端设有第一开关晶体管，所述第一开关晶体管的输出端设有缓冲器，所述缓冲器的输出端设有第二开关晶体管，所述第二开关晶体管的输出端设有驱动器，所述第一开关晶体管的输出端设有第一电容器、第二电容器以及第三电容器，且所述第一电容器与第一开关晶体管电性连接。本实用新型电路结构产生一个随时间线性变化的三角波上冲补偿信号，相比业界通用的指数衰减型补偿信号，在⊿t时段内对EVM性能的补偿效果更优，且补偿信号持续时长参数对工艺、温度、电压等因素波动更加不敏感，⊿t时段内EVM性能的量产稳定性更好。