压力传感器及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201811642151.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109738098A | 公开（公告）日 | 2019-05-10 |
| 申请公布号 | CN109738098A | 申请公布日 | 2019-05-10 |
| 分类号 | G01L1/22（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 罗应树; 刘松润; 钟茗 | 申请（专利权）人 | 菲比蓝科技（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 菲比蓝科技（深圳）有限公司 |
| 地址 | 518103 广东省深圳市宝安区福永街道金菊路18号听涛雅苑2期C栋202 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种压力传感器及其形成方法，其中所述压力传感器包括：基底，所述基底中具有第一导压孔；位于基底上表面上的第一半导体层，第一半导体层中具有第二导压孔，第二导压孔与第一导压孔连通，第一半导体层的部分下表面与基底的部分上表面之间具有隔离缝隙；位于第一半导体层的上表面上的隔离层，所述隔离层中具有有受压腔体，受压腔体与第二导压孔连通；位于隔离层上的第二半导体层，受压腔体正上方的对应的第二半导体层为应变膜，应变膜的表面具有应变电阻；位于应变膜、应变电阻和受压腔体周围的第一半导体层、隔离层和第二半导体中的隔离槽，所述隔离槽与隔离缝隙连通。本发明的压力传感器测量信号漂移较小，测量精度提升。 |
