一种发光二极管外延片的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710334928.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107331738B | 公开（公告）日 | 2019-12-06 |
| 申请公布号 | CN107331738B | 申请公布日 | 2019-12-06 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）; H01L33/06（2010.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 金雅馨; 万林; 胡加辉 | 申请（专利权）人 | 华灿光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 徐立 |
| 地址 | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。包括：提供一衬底；在衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、低温改善层、第一N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；其中，低温改善层为未掺杂的AlxGa1‑xN层，0≤x≤1，且低温改善层的生长温度为500～750℃。本发明通过在未掺杂氮化镓层上低温(500～750℃)生长未掺杂的AlxGa1‑xN层，0≤x≤1，AlxGa1‑xN层的生长温度较低，质量较差，打乱了外延片中晶体的生长方向，从原本单一地沿着晶格的方向变成杂乱无章，进而改变了晶格失配和热失配产生的应力的方向，使得应力得到有效释放，外延片发光波长的均匀性提高。 |
