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激光二极管及其制作方法

基本信息

申请号 CN201911047057.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111106534A 公开（公告）日 2020-05-05
申请公布号 CN111106534A 申请公布日 2020-05-05
分类号 H01S5/22;H01S5/323;H01S5/00 分类 基本电气元件;
发明人 兰叶;吴志浩 申请（专利权）人 华灿光电股份有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 吕耀萍
地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开公开了一种激光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。包括衬底、外延层、N型电极、P型电极、第一反射层和第二反射层；外延层包括缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；P型半导体层的表面为脊波导结构，P型半导体层上设有第一凹槽和第二凹槽，P型半导体层和有源层形成柱体结构，柱体结构的侧面包括第一曲面、第一平面、第二曲面和第二平面，第一平面和第二平面平行于脊波导结构中脊的延伸方向，第一曲面和第二曲面上点的曲率在从第一平面到第二平面的方向上先减小至0、再保持为0、最后从0开始增大；第一反射层和第二反射层分别铺设在第一曲面和第二曲面上。本公开可提高激光二极管的出光效率。