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一种发光二极管外延片及其制备方法

基本信息

申请号	CN201810634505.1	申请日	-
公开（公告）号	CN109065678B	公开（公告）日	2020-04-10
申请公布号	CN109065678B	申请公布日	2020-04-10
分类号	H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00	分类	基本电气元件;
发明人	洪威威;王倩;周飚;胡加辉	申请（专利权）人	华灿光电股份有限公司
代理机构	北京三高永信知识产权代理有限责任公司	代理人	徐立
地址	430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。通过将有源层中的垒层设置为包括依次层叠的In_xGa_1‑xN子垒层、Al_aIn_yN子垒层、Al_bGa_1‑b‑zIn_zN子垒层、Al_cGa_1‑cN子垒层、Al_bGa_1‑b‑zIn_zN子垒层、Al_aIn_yN子垒层、In_xGa_1‑xN子垒层，这种对称生长的垒层结构，在与阱层交替生长时，可减小外延层中整体积累的应力，同时也能够减小其在自身生长过程中引入的应力，进而减小外延层中由应力引起的压电极化现象，同时，垒层中分别设置在Al_cGa_1‑cN子垒层两侧的In_xGa_1‑xN子垒层可减小垒层整体与InGaN阱层之间的晶格失配，进一步减小有源层中的压电极化现象，进而减少有源层中的能带弯曲情况，增大电子和空穴波函数空间重叠，进而增大电子与空穴的有效辐射复合率，提高发光二极管的发光效率。