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一种发光二极管芯片及其制作方法

基本信息

申请号	CN201810717061.8	申请日	-
公开（公告）号	CN109166953B	公开（公告）日	2020-04-10
申请公布号	CN109166953B	申请公布日	2020-04-10
分类号	H01L33/46;H01L33/00	分类	基本电气元件;
发明人	郭炳磊;魏晓骏;葛永晖;吕蒙普;李鹏;胡加辉	申请（专利权）人	华灿光电股份有限公司
代理机构	北京三高永信知识产权代理有限责任公司	代理人	徐立
地址	430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电薄膜、P型电极、N型电极和复合层，N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底的第一表面上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，透明导电薄膜铺设在P型半导体层上，P型电极设置在透明导电薄膜上，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上；复合层包括若干金属纳米颗粒和无机材料层，若干金属纳米颗粒间隔设置在衬底的第二表面上，无机材料层铺设在若干纳米银颗粒和若干纳米银颗粒之间的衬底的第二表面上，复合层的折射率小于或等于1。本发明工艺简单、制作成本低、制作周期短。