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一种发光二极管的芯片的光电性能的测试方法

基本信息

申请号 CN201810276658.3 申请日 -
公开（公告）号 CN108598012B 公开（公告）日 2021-01-12
申请公布号 CN108598012B 申请公布日 2021-01-12
分类号 H01L21/66 分类 基本电气元件;
发明人 叶青贤;杨中和;童咏华 申请（专利权）人 华灿光电股份有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 徐立
地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种发光二极管的芯片的光电性能的测试方法，属于发光二极管技术领域。在发光二极管的芯片的发光性能的测试过程中，通过将芯片倒膜、扩膜中所使用的承载膜更换为由聚氯乙烯与聚邻苯二甲酸乙二醇酯制作的白膜。这种材料的白膜对于芯片的光的透过率较高，反射率较小。避免了当测量设备收集分析倒装芯片的发光数据时，倒装芯片发出的光难以透过蓝膜的情况，保证了测量设备采集到的发光二极管的芯片的光的数据的准确性，提高了发光二极管的芯片的发光性能的测试结果的准确性，同时也能够保证放置在白膜上的多个芯片颗粒的测试结果均较为准确，便于工作人员根据最终获得的同批多个芯片颗粒的测试结果对芯片进行选择与使用。