一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811416036.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109545925B | 公开（公告）日 | 2020-04-10 |
| 申请公布号 | CN109545925B | 申请公布日 | 2020-04-10 |
| 分类号 | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘旺平;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人 | 华灿光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 徐立 |
| 地址 | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、浅阱层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型接触层，所述低温应力释放层为第一InGaN子层与第一GaN子层交替生长的周期性结构，所述第一InGaN子层的厚度为1～2nm，所述第一GaN子层的厚度为5～10nm，所述第一InGaN子层或所述第一GaN子层的数量为10～30。 |
