谐振腔发光二极管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910215605.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110071200B | 公开（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申请公布号 | CN110071200B | 申请公布日 | 2021-04-27 |
| 分类号 | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾俊;胡任浩;胡加辉;周飚 | 申请（专利权）人 | 华灿光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 徐立 |
| 地址 | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种谐振腔发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。所述谐振腔发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、有源层、P型层、透明导电层、钝化层，所述P型层和所述透明导电层上均设有P型电极，所述N型层上设有N型电极，所述衬底的远离所述N型层的一面设有下反射镜层，所述钝化层上设有上反射镜层。此时可以通过提高Al在GaN中的掺杂浓度即可达到下反射镜高反射率的要求。由于下反射镜层设置在衬底的远离N型层的一面上，因此提高Al的浓度不会影响RCLED的外延质量。 |
