极化增强窄带AlGaNp-i-n型紫外探测器及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

极化增强窄带AlGaNp-i-n型紫外探测器及其制备方法

基本信息

申请号	CN202010989092.6	申请日	-
公开（公告）号	CN112018210A	公开（公告）日	2020-12-01
申请公布号	CN112018210A	申请公布日	2020-12-01
分类号	H01L31/105(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	侯汧妤;陈敦军;张开骁;胡利群;张廷志	申请（专利权）人	南京冠鼎光电科技有限公司
代理机构	江苏斐多律师事务所	代理人	张佳妮
地址	210046江苏省南京市栖霞区南京经济技术开发区恒泰路汇智科技园B2栋1006室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种极化增强窄带AlGaN p‑i‑n型紫外探测器，其结构自下而上依次包括：衬底层、模板层、光学过滤层、掺杂层、过渡层、吸收层、极化调制层、欧姆接触层、钝化层；其特征在于：所述模板层为非故意掺杂的AlN，所述光学过滤层为Al组分为0.45的n型重掺杂的AlGaN，所述掺杂层为Al组分为0.35的n型重掺杂的AlGaN，所述过渡层为Al组分渐变的n型AlGaN，所述吸收层为Al组分为0.3的非故意掺杂AlGaN，所述极化调制层为Al组分为0.15的p型AlGaN。还公开了其制备方法。本发明通过异质结构进行光学探测窗口设计，并引入极化效应，可以实现响应信号在300‑320nm范围内、半峰宽(FWHM)为8nm的窄带探测。