叉指状p-GaN栅结构HEMT型紫外探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010373617.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111524973A | 公开（公告）日 | 2020-08-11 |
| 申请公布号 | CN111524973A | 申请公布日 | 2020-08-11 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 仲大佑;雷建明;郭慧;胡利群;张廷志;张开骁 | 申请（专利权）人 | 南京冠鼎光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 江苏斐多律师事务所 | 代理人 | 张佳妮 |
| 地址 | 210046江苏省南京市栖霞区南京经济技术开发区恒泰路汇智科技园B2栋1006室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种叉指状p‑GaN栅结构HEMT型紫外探测器，其中所述p‑GaN层在AlGaN层上呈往复式折线型分布，在AlGaN层台面设有多根平行的横向p‑GaN线，且通过纵向p‑GaN线将所有平行的p‑GaN线首尾相连，形成一根完整的p‑GaN线，p‑GaN线将AlGaN层台面分割成两个部分；还包括设置在AlGaN层上的欧姆接触电极，所述欧姆接触电极为叉指结构，线形的叉指部分生长在横向p‑GaN线之间，与横向p‑GaN线平行。本发明叉指型的电极和特殊的p‑GaN设计减小了电极间距，增加有效受光面积，提高样品利用率，提高了器件的光增益。 |
